三星1c内存制程推迟半年！HBM4前景悬而未决，行业变数加剧
内存行业风云变幻，HBM4技术前景扑朔迷离！
1月21日的消息称，根据韩国媒体的报道，三星电子在第六代10纳米级1c DRAM制程的研发上遭遇了延期，原定于2024年年底完成的时间现在被推迟到了2025年6月。
此次延期不仅打乱了原有时间表，还引发了对第六代高频宽存储器（HBM4）量产计划的担忧。原本预计在2025年下半年实现量产的HBM4，现在看来可能也会受到影响。这一系列的变动无疑给相关行业带来了更多的不确定性和挑战，尤其是对于那些依赖这些先进存储技术的公司而言，如何应对这种不确定性将成为他们需要面对的重要课题。 从整体来看，这反映出半导体行业供应链的复杂性和脆弱性。频繁的技术延期和生产调整可能会导致成本上升，并且影响到整个产业链的效率。长远来看，企业需要更加灵活地调整策略，以适应不断变化的技术和市场环境。同时，这也提醒我们，在推动技术创新的同时，必须考虑到潜在的风险因素，确保供应链的稳定性和可靠性。
三星在2024年底向市场交付了首批测试芯片，但随后的生产良率未能达到预期目标，导致开发周期延长。据市场知情人士透露，三星计划在未来六个月内将良率提升到大约70%。
按照过往经验，每一代制程的开发周期通常为18个月左右，然而，自2022年12月三星开发出第五代10纳米级1b DRAM制程并宣布量产以来，关于1c DRAM的进展一直未有明确消息。
此次1cDRAM工艺的延期不仅推迟了其主力产品DDR5内存的生产计划，还对高带宽内存（HBM）的研发造成了影响。
如果1c DRAM的量产推迟到2025年底，那么HBM的量产时间可能会更晚，这与三星之前计划在2025年下半年实现HBM4量产的目标不符，从而可能影响三星在HBM市场的竞争力。
韩国半导体行业消息人士透露，三星正在调整其1cDRAM制程技术的部分设计方案，力求早日实现量产目标。不过，能否按计划时间表成功实现量产，仍然存在变数。