最新科研突破：中国科学家研发出创新固态深紫外激光技术
发布时间：2023年3月25日
来源：大浪资讯
在光电工程领域，中国科学院的研究团队近日传来喜讯，他们成功研发了一种突破性的固态深紫外（DUV）激光技术。这一创新成果，不仅标志着中国在激光技术领域的又一重大进展，也为半导体行业带来了新的曙光。
固态激光突破，发射193 nm相干光
据悉，该固态深紫外激光能够发射193 nm的相干光，这一波长目前广泛应用于半导体曝光技术。中国科学院的研究人员表示，这项技术有望为半导体行业带来革命性的改变。
深紫外相干光，半导体光刻的关键
在最新的论文介绍中，研究团队指出，深紫外相干光，尤其是193 nm波长的光，已经成为半导体光刻不可或缺的一部分。为了实现这一技术突破，研究人员开发了一种紧凑型固态纳秒脉冲激光系统，该系统能够在6 kHz的重复频率下产生所需的193 nm相干光。
创新成果：首次产生193 nm涡旋光束
值得一提的是，这一创新成果还包括了首次从固态激光中产生193 nm涡旋光束的演示。这种光束对于种子混合ArF准分子激光器具有重要价值，并在晶圆加工和缺陷检测中展现出巨大的应用潜力。
技术细节：Yb:YAG晶体放大器与频率混合
在技术细节方面，研究团队采用了Yb:YAG晶体放大器，通过四次谐波产生258 nm激光（功率为1.2 W），其余部分用于泵浦一个光学参量放大器，产生1553 nm激光（功率为700 mW）。这些光束在级联LiB3O5晶体中经过频率混合，最终产生了平均功率为70 mW、线宽小于880兆赫的193 nm激光。此外，通过在频率混合前引入螺旋相位板，他们成功生成了一个携带轨道角动量的涡旋光束。
总结
大浪资讯从论文中了解到，这是首次从固态激光中产生193 nm涡旋光束的演示，这一突破性成果无疑为半导体行业带来了新的希望。若您对这项技术感兴趣，可以点击以下链接查看详细论文：
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