三星HBM3E内存供应受阻：NVIDIA或面临供货困境
三星HBM3E内存短缺或成NVIDIA的新挑战
数界探索
12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品在性能上未能满足英伟达的需求，导致其年内开始大规模供货的可能性微乎其微。目前看来，该产品的实际供货时间或将推迟至2025年。 从这一消息可以看出，尽管三星电子在高端内存领域拥有一定的技术积累，但在与英伟达这样的行业巨头合作时，仍面临着不小的技术挑战。高性能计算领域对硬件性能有着极高的要求，任何细微的性能差距都可能影响到最终的合作结果。此次事件不仅反映了三星电子在技术实现上的不足，也可能对其未来的市场布局产生一定影响。对于英伟达而言，这也提醒了其在供应链管理上的严谨性，确保每一环节都能满足其高标准的产品需求。
报道指出，自2023年10月以来，三星电子一直在为英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品，然而，在超过一年的时间里，认证过程依然没有显著进展。
据消息人士透露，SK海力士在HBM3E技术方面处于领先地位，并且实际上已经为这种高性能内存设定了性能参数的标准。相比之下，三星电子的HBM3E产品在发热和功耗等关键性能指标上未能达到英伟达的高标准要求。 从行业角度来看，这表明SK海力士在高端内存市场上的技术优势明显，不仅能够满足客户的高要求，甚至还能影响行业标准的制定。同时，这也反映出三星电子在技术创新和产品优化方面还需进一步努力，以缩小与竞争对手的差距，特别是在追求高性能和低功耗平衡的领域。对于整个行业而言，这样的竞争无疑将推动技术进步，为用户带来更好的产品和服务。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则采用的是TC-NCF热压非导电薄膜技术。
虽然三星电子曾经在全球HBM和NAND市场中处于领先地位，但现在在HBM3E领域的竞争中已经落后于其他竞争对手。
尽管三星电子依旧打算在2025年第一季度开始为英伟达等主要客户提供HBM3E，但公司寄希望于通过采用下一代HBM4技术来增强自身的市场竞争力。