三星携手长江存储达成重大合作，V10 NAND闪存将采用中国专利技术引爆行业革新
三星联手长江存储共推NAND闪存革新，中国专利技术引领全球存储新时代
2月24日消息，在存储行业的激烈竞争下，推动了NAND技术的持续进步，现在有一个出人意料的发展：
据韩媒ZDNet今日报道，三星可能会采用中国长江存储的混合键合专利技术，从其V10（第10代）NAND产品开始应用。
报道称，三星计划于 2025 年下半年开始大规模生产其 V10 NAND，该产品预计将具有约 420 至 430 层。
报道还提到，据报道，三星和SK海力士正与长江存储就一项专利协议进行谈判。
注：长江存储已经率先在其生产的闪存产品中采用了晶栈Xtacking技术。这一创新技术允许在单一晶圆上独立加工负责数据输入输出以及记忆单元操作的外围电路。这种独特的制造方法使得选择更为先进的逻辑工艺成为可能，从而让NAND获得更高的输入输出速度以及更多的操作功能。 我认为长江存储的这项技术突破对于提升存储设备的整体性能具有重要意义。随着数据需求的不断增长，高速度、高效率的存储解决方案变得越来越关键。长江存储通过采用晶栈Xtacking技术，不仅增强了其产品的竞争力，也为整个行业的发展树立了一个新的标杆。这无疑会推动其他企业加快技术创新的步伐，共同促进存储技术的进步。
报道称，大约四年前，长江存储在该领域构建了坚实的专利组合。而三星此前在NAND生产中采用了COP（CellonPeripheral）技术，这种技术将外围电路置于一个晶圆上，而内存单元则堆叠在其上方。不过，当层数超过400层时，下层外围电路承受的压力增大可能会导致可靠性问题，因此需要寻找新的解决方案。
知情人士透露，美国Xperi、长江存储和台积电掌握了大部分混合键合技术的专利。三星认为在未来的NAND型号如V10、V11和V12中，难以避开这些现有专利，因此决定与长江存储进行合作。