引领未来科技浪潮：泛林发布革命性钼原子层沉积设备ALTUS Halo，率先赢得美光等巨头青睐
钼革命来袭：泛林ALTUS Halo引领存储芯片技术新纪元
2月21日消息，半导体设备巨头泛林集团Lam Research在美国加州当地时间19日宣布推出了全球首款钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备ALTUS Halo。这款设备已经在逻辑半导体和3D NAND领域得到了早期采用者的认可。 这一创新不仅标志着泛林集团在材料科学领域的又一重要突破，也为整个半导体行业带来了新的发展机遇。钼原子层沉积技术的应用，能够显著提高芯片制造的效率和性能，特别是在先进工艺节点上。这无疑将推动半导体产业向更高层次迈进，同时也为相关企业提供了更多可能性。随着这种新技术逐渐普及，我们有望看到更加高效、更低成本的半导体产品问世。
在过去的20多年里，钨（W）因其卓越的沟槽填充性能，在芯片上的金属布线和元器件互连等半导体工艺中一直扮演着重要角色。
随着半导体制程的不断进步，钨作为导线材料的高电阻劣势逐渐显现出来。在这种情况下，钼因其在沟槽填充和电阻方面的优异性能，成为了新的研究热点。这表明，在追求更高效能和更低能耗的半导体技术发展中，材料的选择至关重要。而ALTUSHalo设备正是为了满足这一需求，专门用于向半导体材料中注入钼元素。这种趋势不仅反映了半导体行业对新材料的探索和应用，也预示着未来芯片制造技术可能迎来的重大变革。 这一变化显示出半导体产业对于提高性能和效率的不懈追求，同时也提醒我们，新材料的应用将是推动技术革新的关键因素之一。
泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理 Sesha Varadarajan 表示：
凭借泛林集团在金属化工艺方面的深厚积累，ALTUSHalo代表了过去20多年原子层沉积技术领域最为显著的进展。 这一突破不仅彰显了泛林集团在半导体制造领域的持续领导地位，也预示着在微电子器件性能提升方面迈出了重要一步。ALTUSHalo技术的应用有望大幅提高芯片的集成度与效率，为下一代高性能计算设备提供强有力的支持。这无疑将激发整个行业对更先进制造技术的投资与研发兴趣。
它将泛林集团的四站模块架构与原子层沉积（ALD）技术的新进展相结合，为大规模生产提供了工程化的低电阻钼沉积工艺。这一突破对于满足未来芯片技术的需求至关重要，特别是针对千层3DNAND、4F2DRAM以及先进的栅极全环绕（GAA）逻辑电路。这些技术的发展不仅能够提升半导体器件的性能，还可能引领下一代芯片制造的潮流。 这种集成技术有望在提高生产效率的同时降低能耗，这对于当前追求可持续发展的半导体行业来说是一个巨大的进步。同时，它也展示了科技创新在推动半导体领域前沿技术发展中的关键作用。随着这些新技术的应用，我们有理由期待半导体产业将迎来更加繁荣的未来。
美光负责 NAND 开发的公司副总裁 Mark Kiehlbauch 则表示：
美光公司通过引入钼金属化技术，成功推出了业界领先的I/O带宽和存储容量的新一代NAND产品。这一突破得益于泛林公司的ALTUSHalo设备，使得美光能够顺利实现钼的大规模生产。 这种创新不仅展示了美光在技术研发方面的领先地位，也体现了其在制造工艺上的卓越能力。通过采用先进的钼金属化技术，美光为行业树立了新的标准，这有望推动整个存储行业的进步和发展。同时，泛林公司提供的ALTUSHalo设备在此次技术革新中起到了关键作用，证明了设备供应商与芯片制造商之间合作的重要性。
除了ALTUSHalo之外，泛林还同时发布了一款名为Akara的等离子体刻蚀设备。该设备采用了固态等离子体源，使产生的等离子体响应速度提高了100倍，能够支持更高纵横比的超精密刻蚀，从而实现复杂的3D结构成型。