三星电子掀起新一轮创新潮，启动4nm工艺HBM4逻辑芯片试生产
引领下一代科技革命，三星电子开启4nm工艺HBM4逻辑芯片新篇章
数界探索
1月3日消息，韩媒《ChosunBiz》今日报道，三星电子DS部门的内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片的设计；Foundry业务部已根据该设计开始使用4nm工艺进行试生产。
在完成逻辑芯片的最终性能验证之后，三星电子将会向客户交付其研发的HBM4内存样本。
逻辑芯片又称基础裸片或控制芯片，在整个HBM内存堆栈中扮演“大脑”的角色，负责管理其上层的多层DRAM Die。在HBM4时代，由于内存堆栈I/O引脚数量翻倍，并需要整合更多功能等因素，三大内存制造商都选择采用逻辑半导体代工厂来生产逻辑芯片。
业内专家指出，运行过程中产生的热量是HBM内存的主要威胁，而逻辑芯片在堆栈结构中也是重要的热源。使用先进工艺制造逻辑芯片，能够有效提升HBM4的能效和性能表现。
三星电子计划在HBM4上采取更为激进的技术路线，以期收复在HBM3(E)时代由于质量问题而失去的HBM内存市场份额。除了使用自家的4nm工艺来制造逻辑芯片之外，三星还将首次在HBM4上采用1cnm制程的DRAM Die。此外，预计在16Hi堆栈中会引入无凸块的混合键合技术，这将进一步提升产品的集成度和性能。 这一策略表明，三星电子对于重新夺回高端内存市场的决心十分坚定。通过采用最新的制造技术和创新的封装方法，三星希望能够在竞争激烈的市场中脱颖而出。然而，新技术的应用也伴随着一定的风险，尤其是在质量和可靠性方面。因此，如何确保新技术能够稳定可靠地运行将是三星面临的重大挑战。