英特尔18A工艺官宣：Panther Lake下半年投产，开启芯片新纪元
英特尔18A工艺下半年强势登场，引领未来芯片技术革新
2月23日消息，英特尔昨日更新了其半导体代工服务的相关页面，并宣布其“四年五个节点”（现为四个节点）计划中最后一个也是最关键的一个节点——Intel18A工艺已经准备就绪，预计将于今年上半年开始流片。 （注：此段内容假定在2025年02月，Intel18A工艺依然处于计划阶段且未正式量产。）
18A工艺的成熟标志着英特尔IDM 2.0战略的重要进展，同时被视作英特尔代工服务（IFS）复兴昔日辉煌的关键信号。对于已退休的英特尔前CEO帕特·基辛格而言，这无疑是个好消息。
英特尔下一代移动处理器Panther Lake的部分型号预计将采用Intel 18A工艺制造。这一进展不仅体现了英特尔在先进制程技术上的持续突破，也预示着未来笔记本电脑性能将有显著提升。随着工艺的进步，我们有望看到更长的电池续航时间、更高的能效比以及更强的图形处理能力。这对于消费者来说无疑是个好消息，尤其是在追求高性能和高效率并存的移动设备领域。
英特尔表示，Panther Lake 芯片计划于今年下半年发布并投产，不过 Intel 18A 初期产能有限，所以搭载该芯片的笔记本电脑预计要等到 2026 年才会大批量上市。
此外，英特尔计划在2026年推出下一代NovaLake桌面处理器，这无疑为该公司带来了新的希望。NovaLake系列处理器的问世被寄予厚望，有望显著提升英特尔的市场表现和收入水平。随着科技行业的竞争日益激烈，英特尔正通过这一举措展示其在技术创新方面的决心和能力。尽管如此，能否真正实现收入增长，还将取决于市场需求以及竞争对手的反应。无论如何，这次发布对于英特尔来说是一个重要的里程碑，值得业界密切关注。
英特尔还计划在明年上半年推出的首款基于 Intel 18A 的服务器产品 Clearwater Forest（最初计划 2025 年发布）。英特尔表示，今年的主题是提高“至强”的市场竞争地位，从而努力缩小与竞争对手的差距。
英特尔表示，其18A工艺首次采用PowerVia背供电技术，并结合了RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管技术。与Intel3工艺相比，该工艺的密度提高了30%，并且在每瓦功耗下性能提升了15%。
据行业分析，其 SRAM 密度已与台积电 N2 制程持平，甚至在功耗和性能平衡把控方面更具竞争优势。
从官方获悉，PowerVia背面供电技术通过将供电层与信号层分开布局，使得芯片密度和单元利用率提高了5%-10%。相较于传统的正面供电设计，该技术显著减少了电阻压降（IR Drop）。在相同的功耗条件下，可以实现最高4%的性能提升。
RibbonFET全包围栅极晶体管技术运用纳米带（Nanoribbon）架构，能够精准调控电流，在芯片小型化过程中显著减少漏电量，从而有效解决高密度芯片的能耗问题。
英特尔表示，Intel18A技术作为IFS的关键优势，凭借其多项突破性的创新，将成为北美地区首个实现量产的2纳米以下先进制程节点。这一成就不仅为全球客户提供了更多的供应链选择，也标志着半导体行业迈入了一个新的技术时代。Intel18A技术的推出，无疑将对现有的市场竞争格局产生深远影响，进一步推动技术创新和产业升级。
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