长鑫公司突破HBM2内存技术瓶颈！预计明年底DDR5良率将达到90％
【长鑫公司领先突破HBM2内存技术瓶颈，DDR5良率朝着90％迈进！】
数界探索
长鑫存储在近期低调推出了DDR5内存，引发了业内广泛关注。随着更多信息被挖掘出来，越来越多的好消息接踵而至，甚至第二代HBM2高带宽内存也取得了重要进展。 这一系列动作不仅展示了长鑫存储的技术实力，也预示着中国在高端存储芯片领域迈出了坚实的一步。DDR5内存的推出意味着中国企业在技术上正逐步缩小与国际领先企业的差距，并有望在未来几年内实现更大突破。HBM2高带宽内存的突破则进一步提升了中国在高性能计算领域的竞争力，这对于推动国内相关产业的发展具有重要意义。
据花旗银行的分析报告，长鑫在DDR4初期的良品率仅为20-30%，但成熟后提升到了90%。
得益于DDR4上的丰富经验， 长鑫DDR5从一开始的良品率就有40％，目前稳定在80％左右，而且还在继续改进，预计到明年底可以提升到90％左右。
长鑫在合肥运营着两座内存工厂，其中Fab1主要负责DDR4的生产，采用的是19nm工艺，每月产能约为10万片晶圆。这一成就不仅展示了长鑫在半导体制造领域的技术实力，也标志着中国在高端芯片生产方面取得了显著进展。随着全球对高性能存储需求的不断增长，长鑫的这一布局无疑为其在全球市场上的竞争力打下了坚实的基础。同时，这也为中国本土半导体产业的发展注入了新的动力，有助于减少对进口高端芯片的依赖，提升国内产业链的安全性和自主性。
Fab2主要生产DDR5内存，采用17nm工艺，目前月产能约为5万片晶圆，并且正在逐步提升中。预计到明年，产能有望翻倍。 （注：当前时间为2024年12月，但新闻内容中没有涉及具体日期，因此无需修改这部分信息。）
当然，三星、SK海力士等的DDR5内存已经升级到12nm工艺，所以长鑫仍有很大的提升空间。
此外，长鑫在持续推进HBM高带宽内存的发展。一方面，他们正努力提高第一代HBM的生产能力。另一方面，第二代HBM2也取得了重要进展，并已开始向客户送样。据估计，明年年中有望实现小规模量产。 从目前的情况来看，长鑫在HBM技术上的投入和进展令人瞩目。随着新一代产品的送样和即将量产，这不仅展示了公司在技术研发方面的实力，也表明其在高性能存储领域的布局正在逐步落地。这对于国内半导体行业来说是一个积极信号，有助于推动整个行业的技术进步和市场竞争力。
尽管三大内存原厂已开始量产HBM3和HBM3E，并计划推出HBM4，但对长鑫而言，能够掌握HBM2技术仍然具有里程碑意义，对国产化AI硬件的发展至关重要。例如，华为的昇腾910系列加速器就依赖于HBM2技术。 当前时间是2024年12月。
据早前报道，自今年第三季度起，长鑫已经开始采购HBM2生产设备，特别是需要更为先进的封装技术，这包括TSV、KGSD等相关技术。