美国研发新一代超高效BAT激光器:效率提升10倍,领先EUV光刻技术-大浪资讯

admin112025-01-06 11:11:15

美国研发新一代超高效BAT激光器:效率提升10倍,领先EUV光刻技术

揭秘超级激光:BAT技术领先,效率飙升十倍,引领下一代光刻革命

   1月6日消息,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研发一种效率比传统CO2 EUV激光器高出十倍的新激光器,这将为下一代EUV光刻技术的发展奠定基础。

美国研发新一代超高效BAT激光器:效率提升10倍,领先EUV光刻技术

   据报道,LLNL正在开发一种拍瓦级铥激光器,采用了名为BAT(大孔径铥激光)的技术。与现有的工业标准二氧化碳激光器相比,这种铥激光器在EUV光源效率方面提高了大约10倍,未来有望取代后者。这一创新技术不仅展示了激光技术的巨大进步,而且预示着半导体制造领域将迎来新的变革。随着EUV光刻技术需求的不断增长,这种铥激光器的高效率将极大地提升生产能力和降低成本,从而推动整个行业的快速发展。

   ps.Petawatt(PW)是一个极其庞大的功率单位,代表着10^15瓦特,通常用来衡量高能激光器的输出功率。

   LLNL指出,这项突破或许能为下一代“超越EUV”的光刻系统开辟道路,进而制造出体积更小、性能更强、生产效率更高且能耗更低的芯片。

   当前,EUV光刻系统的能耗问题一直备受关注。不论是低数值孔径(Low-NA)还是高数值孔径(High-NA)EUV光刻系统,其功耗都十分惊人,低数值孔径系统高达1,170千瓦,而高数值孔径系统更是达到1,400千瓦。这不仅对电力供应提出了极高的要求,也给芯片制造企业带来了沉重的运营成本压力。 从长远来看,降低EUV光刻系统的能耗是半导体行业亟需解决的问题之一。技术进步与创新将是关键,如何在提高生产效率的同时减少能源消耗,将是未来光刻技术发展的重要方向。

   如此高的能耗主要源自EUV光刻系统的运行机制。该系统通过每秒钟数万次的高能激光脉冲蒸发微小的锡滴(温度高达500,000摄氏度),从而产生出波长为13.5纳米的等离子体光。这个过程不仅需要复杂的激光设备和冷却系统支持,还需要维持一个真空环境来避免EUV光被空气吸收,这无疑进一步加大了整体的能源消耗。 这种高度复杂的工艺技术无疑推动了半导体制造技术的发展,但同时也引发了对能源效率和可持续性的关注。在追求更先进的芯片制造技术的同时,也应考虑如何降低其对环境的影响,比如通过研发更高效的冷却技术和优化系统设计,减少不必要的能量损失,以实现技术创新与环境保护之间的平衡。

   不仅如此,在EUV设备中,高级反射镜仅能反射部分极紫外光,因此需要增强激光器的输出功率来提升整体产能。

   LLNL目前正在测试BAT(大孔径铥)这种新型激光器技术,采用掺铥氟化钇锂(Tm:YLF)作为激光增益介质,理论上可以高效地输出拍瓦级、超短激光脉冲,远远超过目前同类激光器的水平。

   据LLNL称,与在约10微米波长下运行的CO2激光器不同,该系统在大约2微米的波长下工作。理论上,这在与锡液滴相互作用时,能够提升等离子体到EUV的转换效率。此外,与采用气体的CO2激光器相比,BAT系统使用的是二极管泵浦固态技术,能提供更佳的整体电能效率和热管理性能。

   据我们了解,这些脉冲能量超过了目前所有已知波长接近2微米的激光系统所报告的最高脉冲能量的25倍以上,”LLNL物理学家Issa Tamer表示。

   “在过去的五年里,我们进行了理论等离子体模拟和概念验证激光演示,为这一项目奠定了基础,”LLNL激光物理学家 Brendan Reagan 说。“我们的工作已经对EUV光刻领域产生了相当大的影响,所以现在我们很高兴能迈出下一步。”

   不过,将BAT技术应用于半导体生产确实面临着重大的基础设施改造挑战,因此实现这一目标所需的时间尚不确定。当前的EUV(极紫外光刻)系统也是经过了几十年的研发才逐渐成熟。 这一过程不仅考验着技术本身的进步,还对企业的资金投入和技术积累提出了极高的要求。面对如此复杂的转型,企业必须做好长期规划,并持续进行大量投资以确保技术的稳定性和可靠性。此外,政府的支持和相关政策的配合也至关重要,这将大大加速技术转化的进程。未来的发展前景值得期待,但具体时间表仍需密切关注行业动态和科技进步的步伐。

   行业分析公司TechInsights曾发出警告,预计至2030年,半导体晶圆厂每年消耗的电力将达到54,000吉瓦(GW),这一数字将超过新加坡或希腊的年用电量。

   下一代超数值孔径(Hyper-NAEUV)光刻技术即将面市,预计其功耗会比现有技术更高。因此,我们有理由相信该行业会继续寻求更加节能的解决方案,以支持未来EUV光刻机的运行。而LLNL的BAT激光技术无疑为实现这一目标带来了新的希望。 随着半导体技术的不断进步,功耗问题已经成为制约其发展的关键因素之一。Hyper-NAEUV光刻技术虽然在提升制造精度方面具有巨大潜力,但其高能耗的问题不容忽视。这不仅增加了运营成本,也可能对环境造成更大的负担。因此,LLNL的BAT激光技术为解决这一难题提供了一种可能的路径。这种新技术有望在不牺牲性能的前提下,大幅降低光刻过程中的能源消耗,从而推动整个行业的可持续发展。