台积电在美建设第三晶圆厂，将引入创新技术CoWoS产能
台积电加速布局美国市场，引领下一代芯片制造革命
2月17日消息，台媒《经济日报》于本月14日报道，在台积电赴美参加董事会期间，该公司总裁魏哲家与美国子公司TSMC Arizona的管理人员召开了内部会议，并作出了一系列决定。
在先进制程方面，台积电计划在今年年中启动其在亚利桑那州菲尼克斯市建设的第三座晶圆厂Fab21p。该晶圆厂将采用2nm及N16节点制程技术，原本预计于本十年末开始生产，但目前看来可能提前至2027年初进行试产，并于2028年开始量产。另外，台积电还打算邀请美国政府的重要官员参加Fab21p的开工仪式。
在先进封装领域，台积电计划在美国设立CoWoS封装工厂，以本土化的方式在美国提供AIGPU所需的高端封装服务，从而在美国完成从芯片制造到最终产品封装的整个流程，实现本地化生产。
注意到，台积电合作伙伴 Amkor 安靠已宣布建设和 TSMC Arizona 配套的高级封测产能；而台积电竞争对手三星电子的《CHIPS》法案正式补贴协议中去掉了有关先进封装的内容。
据报道，台积电位于亚利桑那州的第二座晶圆厂已经完成了主体建筑的施工，目前正在进行无尘室和机电系统整合工作。预计该工厂将在2026年第一季度末开始安装工艺设备。 这一进展显示了台积电在先进制程技术上的持续投资与扩张。3nm工艺作为当前最先进的芯片制造技术之一，其生产设施的建设不仅体现了台积电的技术实力，也反映了全球半导体行业竞争的激烈程度。此外，这也意味着美国本土的芯片生产能力将进一步增强，对全球供应链格局可能产生深远影响。
从时间表来看，第二晶圆厂有望在2026年底进入试产阶段，并且预计在2027年下半年实现量产，这比之前公布的2028年投产计划有所提前。 这一进展显示出公司在推进项目方面的高效执行力。快速的进度不仅能够满足日益增长的市场需求，还可能为公司带来先发优势，在竞争激烈的市场环境中占据有利地位。同时，这也反映了公司在技术和管理上的持续进步，值得肯定。