突破性技术!等离子体加速3D NAND闪存蚀刻速度,实现1分钟640纳米-大浪资讯

admin102025-02-05 13:59:44

突破性技术!等离子体加速3D NAND闪存蚀刻速度,实现1分钟640纳米

刷新记录!等离子体加速技术助力3D NAND闪存蚀刻速度,实现1分钟640纳米闪存制造创新

   2月5日消息,3D NAND闪存的设计和制造高度依赖于存储单元的堆叠技术,这不仅能够显著提升存储密度和容量,还能有效降低成本。随着技术的进步,这种三维堆叠方式已经成为提高存储设备性能的关键因素之一。 这样的技术发展无疑为大数据时代提供了强有力的支持,使得大规模数据存储变得更加经济高效。然而,随之而来的挑战是如何确保这些高密度存储设备在长时间使用中的稳定性和可靠性,以及如何解决可能产生的数据安全问题。这需要行业内的持续创新和技术突破。

突破性技术!等离子体加速3D NAND闪存蚀刻速度,实现1分钟640纳米

   最近,来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校以及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的多位科学家共同开发了一种创新的蚀刻工艺。

突破性技术!等离子体加速3D NAND闪存蚀刻速度,实现1分钟640纳米

   该技术采用氟化氢等离子体,使硅基垂直通道的蚀刻效率提升了一倍,仅需1分钟就能蚀刻640纳米。

   其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔,并将分层材料暴露在等离子体形式的化学物质中,让等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用,从而蚀刻出孔洞通道。

   研究还发现,利用三氟化磷等特定化学物质,可以进一步优化蚀刻工艺。

   另外,一些副产品会降低蚀刻效率,但只需添加水即可解决这一问题。例如,水能使盐在低温下分解,进而加快蚀刻过程。