美光首席财务官 Mark Murphy：高达12层次的HBM3E内存即将大规模生产
突破极限，全新HBM3E内存即将引爆市场！
2月17日消息，美光科技的执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy上周在参加Wolfe Research组织的会议上透露，公司即将大规模生产12层堆叠的HBM3E内存产品。这一消息无疑为高性能计算领域注入了一剂强心针，预示着未来数据中心和AI应用的性能将迎来显著提升。随着技术的不断进步，我们期待看到更多创新的产品和解决方案，以满足日益增长的数据处理需求。
美光宣布其12HiHBM3E的容量较竞品高出1.5倍，同时功耗比对手低20%。
尽管三星电子在高带宽内存（HBM）业务上目前面临一些挑战，但美光科技的目标是在这一领域达到与整体DRAM市场相匹配的市场份额，大约为20%。美光相信，随着HBM产能的增加，其整体财务状况也会得到显著改善。 这种战略目标显示了美光对未来高端存储芯片市场的坚定信心。尽管三星电子在这一领域的表现暂时不尽如人意，但美光依然致力于扩大其市场份额，并希望通过提高产量来增强自身的财务表现。这不仅反映了美光对技术进步的承诺，也体现了其对未来市场需求增长的乐观预期。
对于NAND闪存，这位首席财务官表示该行业的整体形势依然低迷，因此美光决定放缓工艺升级的步伐（例如推迟到最新的G9278层节点），以此相对减少供应量，促进库存消化。总体而言，预计到2025年情况会逐渐改善。
在2024财年第三财季（截止于2025年3月末），MarkMurphy预计该企业的毛利率将较第二财季有所下降。他指出，这主要是由于客户端出货规模扩大，但产品价格相对较低，加上整体NAND市场行情不佳所致。这种趋势表明，尽管市场需求增加，但价格竞争压力依然严峻，企业需要寻找新的策略来应对成本压力和市场竞争。 这样的预测反映了当前市场的复杂性和不确定性，特别是在技术行业，价格波动和技术发展都可能对企业的盈利能力产生重大影响。企业必须密切关注市场动态，并灵活调整其定价和生产策略，以确保在激烈的竞争中保持竞争力。