三星破局内存困局，打造全新1b nm DRAM版！
内存巨头三星再出招，引领1b nm DRAM时代！
1月21日消息，韩媒ETNews今日报道称，三星电子内部为应对12nm级DRAM内存产品在良率和性能方面遇到的双重挑战，已决定于2024年底改进现有1bnm工艺，并同时重新设计新版1bnm DRAM。 三星电子此举表明，面对日益激烈的市场竞争和技术挑战，该公司正在积极寻求技术突破。这不仅显示了三星对现有产品的不满，也体现了其对未来市场的信心和决心。通过重新设计和改进工艺，三星有望在性能和成本控制上取得更大的优势，进一步巩固其在全球半导体市场中的领先地位。
据悉，三星公司最新推出的12nm级DRAM工艺项目命名为D1B-P，其中P代表Prime。该项目专注于提升能效和改善散热表现，这一点与之前发布的第六代V-NAND改进版制程V6P在命名逻辑上如出一辙。 这种命名方式不仅有助于消费者更好地理解产品的特性，也体现了三星在半导体制造领域的持续创新和技术进步。通过采用先进的制程技术，D1B-P有望在提高产品性能的同时，降低能耗和发热量，从而为用户带来更优质的使用体验。此外，这也显示了三星对于未来市场需求的敏锐洞察力，以及在竞争激烈的市场环境中保持领先地位的决心。
三星在2022年12月和2023年5月先后宣布其12nm级DDR5 DRAM已完成开发并开始量产，但在LPDDR5x等重要领域并未取得预期的成功。由于这一情况，三星DS部门失去了为Galaxy S25系列手机初期供应内存的资格。
此外，当前12nm级DRAM工艺在启动D1B-P项目时，良率仅约为60%，明显低于业界大规模量产所需的80%至90%标准。
据报道，三星电子在2024年底为D1B-P项目紧急采购了所需设备，该工艺预计将于2025年内开始量产，最早可能在今年2至3季度推出。