美光加入16-Hi HBM3E阵营,即将通过最终设备评估!-大浪资讯

admin82025-01-16 11:39:03

美光加入16-Hi HBM3E阵营,即将通过最终设备评估!

闪耀16-Hi HBM3E,美光即将开启终极性能评估!

   1月16日消息,据韩国媒体《朝鲜日报》报道,DRAM内存巨头之一的美光公司即将加入16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存的竞争行列,目前正在进行最终的设备评估,并计划在年内实现量产。 这一消息显示了全球半导体行业竞争的激烈程度,特别是在高端存储芯片领域。美光作为DRAM市场的关键玩家,其进入这一新技术领域的决定不仅将加剧市场竞争,还可能推动整个行业的技术进步。对于消费者而言,这或许意味着未来能享受到更高效能、更低功耗的计算产品。

   SK海力士在2024年11月宣布了其48GB 16-Hi HBM3E产品,并表示该型内存相较之前的12Hi 32GB HBM3E在AI训练方面的性能提升了18%,而在推理方面的改进更是达到了32%。这一消息无疑引起了业界的广泛关注。值得注意的是,三星电子也在今年开始量产16-Hi HBM3E。 随着人工智能技术的迅猛发展,高性能内存的需求日益增长。SK海力士此次发布的新一代HBM3E内存不仅在容量上有所提升,而且在性能方面也有了显著的进步。这无疑将为AI训练和推理任务带来更强大的支持。此外,三星电子紧随其后也开始量产同类产品,显示出两大DRAM厂商在高端内存市场的激烈竞争态势。这种竞争有望推动整个行业的技术进步,为用户带来更多选择和更好的产品体验。

   美光曾表示该企业的目标是将其在HBM细分市场的占有率从此前的低个位数百分比提升至与整体DRAM领域相当的20%。为此美光正积极在全球扩张产能:就在今年初,美光宣布其位于新加坡的HBM内存先进封装工厂已开始建设,预计将于2026年投入运营。 (当前时间为2025年01月)