SK 海力士计划2月启动全球领先1纳米制程DRAM内存量产
SK 海力士率先突破1纳米制程，引领全球DRAM内存新时代
1月17日消息，韩媒MT今日报道，SK海力士近日已成功完成了内存行业最先进的1c纳米制程DRAM的批量产品认证。多个包含25块晶圆的批次在质量和良率方面均达到了标准。
SK海力士预计在完成量产移交程序后，将于2月初正式开始1c纳米DRAM的生产。
SK 海力士在 2024 年 8 月末宣布成功实现 1c 纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。而从开发成功到量产的约半年时间也符合 DRAM 内存行业的一般新制程量产时间表。
SK海力士在第六代10纳米级DRAM内存技术方面似乎已经领先于主要竞争对手三星电子和美光。这两家公司目前还没有宣布任何相关的新进展，这表明SK海力士在这一高端技术领域取得了显著的先发优势。随着科技行业对高性能存储需求的不断增长，这种技术上的领先地位可能会为SK海力士带来更多的市场份额和竞争优势。 这一动态不仅反映了SK海力士在研发方面的投入和效率，也揭示了全球半导体市场竞争格局的变化。对于消费者来说，这可能意味着更快、更高效的设备即将到来。然而，这也提醒我们，持续的技术创新和研发投入对于保持市场领先地位至关重要。三星和美光需要加快步伐，以避免在未来的竞争中落后。
SK海力士宣布，其最新的1c工艺技术将被用于下一代HBM、LPDDR6以及GDDR7等前沿DRAM产品中。这项技术的进步不仅体现了公司在半导体制造领域的持续创新，也标志着存储芯片行业迈向更高性能和更低功耗的新阶段。通过采用更先进的制造工艺，SK海力士有望在竞争激烈的市场中继续保持领先地位，并为各类高性能计算设备提供更为强大的支持。