【行业前沿】美光在DDR5内存领域实现重大突破，采用创新技术加速量产
大浪资讯 —— 2023年3月11日，业界传来重磅消息，美光科技公司（Micron）在内存制造领域取得了显著进展。本月，美光向包括英特尔（Intel）和AMD在内的多家客户交付了1γ DDR5内存样品，标志着该公司成为内存行业中首个实现此技术突破的企业。
创新工艺助力量产提速
据韩媒《朝鲜日报》报道，美光在所交付的样品中，采用了极紫外光刻（EUV）技术，但仅在单层进行应用。此举表明，美光正计划通过降低EUV的使用率，来加速尖端DRAM的量产进程。
成熟工艺与先进技术的结合
大浪资讯从相关博文了解到，美光在减少EUV使用的同时，转而更多采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。这种工艺在确保生产效率的同时，也降低了成本。
技术对比：EUV与ArFi
据悉，下一代深紫外光刻（DUV）系统采用193纳米波长的氩氟激光，可打印出38纳米的特征尺寸。相比之下，EUV光刻使用13.5纳米波长的光，具有更高的精度，但成本也相对较高。
策略考量：短期提升效率，长期影响性能
美光表示，由于EUV技术尚未完全稳定，公司将在必要时才使用该技术。这种策略在短期内可能有助于提升量产速度，但从长期来看，可能会对芯片的良率和性能产生影响。
同行动态：三星和SK海力士持续投入EUV技术
与此同时，与美光不同，三星和SK海力士在DRAM技术发展中更倾向于依赖EUV技术。三星自2020年起在内存生产中应用EUV，并计划在其第6代10纳米DRAM中采用超过5个EUV层。SK海力士也在2021年引入了EUV设备，并计划在下一代1c DRAM中采用相似策略。
技术挑战与未来展望
尽管美光减少对EUV的依赖可能在短期内节省成本，但长期来看，可能会面临技术瓶颈。行业专家指出，ArFi工艺的步骤更多，可能导致良率下降。随着EUV层数的增加，尤其是在超过三层之后，技术难度将显著提高。
延伸阅读
《美光宣布1γ DRAM内存开始出货：性能提升15%，功耗降低20%以上》
注：以上内容为改写后的博客排版，旨在提供更流畅自然的阅读体验，同时保持原意不变。