美光在内存技术突破中领先一步：减少EUV依赖，加速DRAM量产
（IT之家报道） 2023年3月11日，业界领先的内存制造商美光（Micron）近期传来喜讯。该公司在2月份向英特尔（Intel）和AMD等知名客户交付了1γ（gamma）DDR5样品，这不仅标志着美光在内存技术领域实现了重大突破，而且使其成为全球首家成功推出此类样品的企业。
创新工艺：极紫外光刻（EUV）与氩氟浸没式光刻（ArFi）的巧妙结合
据韩国媒体Chosun在3月10日发布的博文报道，美光在此次交付的样品中，采用了极紫外光刻（EUV）技术的创新应用。值得注意的是，在这些样品中，仅有一层采用了EUV设备进行加工。美光此举旨在通过减少EUV的使用频率，从而加快尖端DRAM产品的量产进程。
转向成熟工艺：ArFi工艺助力美光提升生产效率
IT之家从博文了解到，美光在减少对EUV的依赖方面采取了新的策略，即更多地采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。这种工艺以其稳定性和高效性而著称，有助于提升生产效率。
EUV与DUV技术对比：精度与成本的权衡
根据ASML提供的数据，下一代深紫外光刻（DUV）系统采用193纳米波长的氩氟激光，能够实现38纳米特征尺寸的打印。而EUV光刻则使用13.5纳米波长的光，精度更高，但成本也相应增加。
美光策略短期受益，长期影响尚待观察
美光表示，EUV技术目前尚未完全成熟，因此仅在必要时使用。这种策略在短期内有望提升量产速度，但从长期来看，可能会对芯片的良率和性能产生影响。
行业对比：三星和SK海力士坚持EUV技术路线
与美光不同，行业内的其他巨头如三星和SK海力士在DRAM技术的发展中更倾向于依赖EUV技术。三星自2020年起在内存生产中应用EUV，并计划在其第6代10纳米DRAM（1c）产品中采用超过5个EUV层。SK海力士也在2021年引入了EUV设备，并计划在下一代1c DRAM中采用类似的策略。
总结：美光策略短期有优势，长期挑战不容忽视
尽管美光减少对EUV的依赖可能在短期内节省成本，但长期来看，可能面临技术瓶颈。行业专家指出，ArFi工艺需要更多步骤，这可能导致良率下降。随着EUV层级的增加，尤其是超过三层后，技术难度将显著加大。美光在这一领域的未来发展，值得我们持续关注。