国产DDR5内存崭露头角!良品率高达80%超越三大原厂
国产DDR5内存:质量超乎想象,性能领先三大原厂
数界探索
国产存储品牌金百达和光威近日同步推出了采用国产芯片的DDR5内存产品,有迹象显示这些DRAM芯片来自长鑫存储,显然已实现规模化量产。这两款国产芯片DDR5内存的频率均为6000MHz,单条容量为16GB,而32GB双条套装的价格则为499元。
长鑫此前的主要产品是DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列,制造工艺均为19纳米。在2023年11月,长鑫正式推出了LPDDR5,这一产品主要用于移动端市场,标志着长鑫存储技术的重大突破。如今,长鑫已经成功迈入DDR5的领域,与三星、SK海力士、美光等国际大厂并驾齐驱。根据业内消息,长鑫存储确已开始生产DDR5,并且正在积极与客户进行接洽。这不仅显示了长鑫的技术实力,也意味着中国半导体产业在全球市场上地位的进一步提升。
据悉,长鑫公布的DDR5产品良率大约在80%左右,这与三星和SK海力士的水平相当,都在80-90%之间。这表明长鑫已经达到了国际先进水平,而且还有继续提升的空间。值得注意的是,长鑫早在几年前就已经被美国列入了实体清单,这意味着他们无法获取三大原厂所使用的同款EUV光刻设备,只能依靠现有的技术和设备。即便如此,长鑫仍然能够实现高良率的DDR5芯片量产,无疑是一个巨大的技术突破。 这样的成就不仅证明了中国半导体企业在面对外部限制时仍能取得显著进展,也展示了其在技术创新和工艺改进方面的强大能力。这将对未来的市场竞争格局产生深远影响,同时为中国半导体行业注入了新的信心和动力。
半导体行业观察机构TechInsights的JeongdongChoi博士也在密切关注长鑫的DDR5产品,并寻求机会进行详细分析。据他透露,尽管长鑫尚未公布正式信息,但他所掌握的信息显示,DDR5通常采用G3工艺进行开发,其线宽(特征尺寸)为17.5纳米。相比之下,DDR4使用的G1工艺线宽为22纳米,而LPDDR4X同样采用G1和G3工艺。