三星拥抱国产存储新篇章：引入长江存储技术共创新未来
携手长江存储，三星开启中国存储新时代
2月24日消息，据韩国媒体报道，三星近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从第十代V-NAND（V10）开始，将采用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。 这一消息表明，中国企业在半导体技术领域正逐渐获得国际认可。长江存储通过其在“混合键合”技术上的创新，成功吸引了全球领先企业三星的关注，并达成了重要的技术合作。这不仅展示了长江存储的技术实力，也为国内其他半导体企业树立了榜样，鼓励更多企业加大研发投入，推动我国半导体产业的整体进步。
三星计划在2025年下半年开始量产其下一代V10 NAND闪存，预计堆叠层数将达到420至430层。当层数超过400层时，底层外围电路所承受的压力会明显增大，从而可能影响芯片的可靠性。
为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W混合键合技术，该技术通过直接将两片晶圆贴合，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。
而早在四年前，长江存储就率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈（Xtacking）”，同时建立了完善的专利布局。
业内专家表示，目前在3D NAND混合键合核心技术专利方面，主要由美国Xperi公司、中国长江存储以及中国台湾的台积电所掌控，三星几乎难以避开长江存储的专利布局。
因此三星最终决定采用专利授权的方式达成协议，而不是试图绕过专利，以此来降低未来可能面临的法律和市场风险，并加速技术开发进程。
除此之外，SK海力士也在研发适用于400层以上的NAND产品的混合键合技术，未来也可能需要与长江存储签订专利授权协议。
业内人士分析，未来三星在开发V10、V11、V12等后续NAND产品时，仍然可能会依赖长江存储的专利技术。这不仅反映了当前全球半导体行业内部的技术共享现状，也显示出长江存储在该领域的技术实力已经得到了业界的认可。随着技术的发展和市场竞争的加剧，这种技术合作的趋势预计将进一步加强。不同企业之间的技术交流与合作，有助于加速整个行业的创新步伐，同时也为消费者带来更优质的产品和服务。